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二維納米材料實現(xiàn)最高負磁電阻效應
* 來源: 河北麥森 * 作者: * 發(fā)表時間: 2014-11-12 09:04:47
【河北麥森訊】日前，研究人員通過陰離子固溶技術實現(xiàn)目前二維納米材料中最高的負磁電阻效應，該現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)有可能推動二維材料在自旋電子器件領域的進展。
所謂巨磁阻效應，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現(xiàn)象�；陔娮幼孕杂啥日{(diào)控的巨磁阻材料，能實現(xiàn)信息高密度存儲和高速讀寫，是整個信息產(chǎn)業(yè)的核心。
隨著人們對電子器件高集成度和小型化日益增長的需求，在更小的材料尺度實現(xiàn)磁阻效應成為追逐目標。以石墨烯為代表的二維納米材料，具備獨特形貌和優(yōu)異物性特征，為實現(xiàn)二維自旋電子器件提供了重要的材料基礎。
由于絕大多數(shù)二維材料本身特征是非磁的，如何在二維材料中引入磁性，成為開發(fā)二維自旋電子器件的關鍵。研究人員提出低價鹵族取代硫族元素的陰離子摻雜新方法，在克服了陽離子摻雜形成插層化合物而難以剝離缺點的基礎上，在二維納米材料中成功引入本征自旋和調(diào)控能帶結構，實現(xiàn)自旋相關散射電子輸運，基于此構建了基于二維過渡金屬硫?qū)倩衔锏木薮抛杵骷�，該實驗結果實現(xiàn)目前二維納米材料體系最高的負磁電阻效應。
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